英特尔可能在 2025 年重新获得制程技术领先地位

　　在去年 7 月举行的“英特尔加速创新：工艺与封装”线上会议上，英特尔展示了一系列底层技术创新，以推动英特尔在 2025 年及以后的新产品开发。除了宣布十多年来首款新型晶体管架构 RibbonFET 和业界首个新型背面电源网络 PowerVia，英特尔还强调了下一代极紫外光刻 (EUV) 技术、高数值孔径 (High- NA）EUV，并将部署业界第一台高NA EUV光刻机。

　　英特尔最新的工艺路线图看起来非常激进，计划在四年内推进五个工艺节点。尽管自 Pat Gelsinger 重返英特尔担任 CEO 以来，第 12 代处理器的性能有所提升，但由于过去几年性能不佳，许多人对这一工艺路线图持保留态度。半导体咨询公司 IC Knowledge 的总裁 Scotten Jones 最近写了一篇 SemiWiki 文章，讲述了他从怀疑到对英特尔计划充满信心的历程。

　　Scotten Jones 分析了未来几年英特尔、台积电和三星可能进行的半导体技术研发。他认为，随着极紫外（EUV）光刻设备使用量的增加和两项突破的推出，英特尔将有巨大的突破。英特尔 20A 工艺节点上的 RibbonFET 和 PowerVia 技术。预计 2024 年末（2025 年初）英特尔将推出搭载改进型 RibbonFET 的英特尔 18A，这很可能在 2025 年压倒台积电的 N2 工艺节点，并在每瓦性能方面处于领先地位。